| 发明名称 | 用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法，特别是一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法。本发明的特征在于：将钒酸盐及掺杂稀土单晶抛光后置于浸蚀液中，浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸，其体积比为浓磷酸∶氢氟酸＝100∶5～10，在温度60～180℃下浸蚀1～30min，将浸蚀后的晶体冲净、擦干，进行位错蚀坑观察与测试。所述的钒酸盐为钒酸钇或钒酸钆。该方法可以用来判断晶体生长的质量，以保证长出高质量的晶体。该方法可应用于籽晶质量判断，晶体质量控制和晶体品质鉴定等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1142330C | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN02100318.1 | 申请日期 | 2002.01.10 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 臧竞存;马会龙 |
| 分类号 | C30B33/10;C30B29/30;H01S3/16 | 主分类号 | C30B33/10 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1、一种用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法，其特征在于：将钒酸盐及掺杂稀土单晶定向抛光后置于浸蚀液中，浸蚀液成份为浓磷酸和氢氟酸，其体积比为浓磷酸∶氢氟酸＝100∶5～10，在温度60～180℃下浸蚀1～30min，将浸蚀后的晶体冲净、擦干，进行位错蚀坑观察与测试。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||