发明名称 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法
摘要 本发明涉及薄膜制备方法,特别是一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。其特征在于包括以下步骤:清洗基片;将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中,将铂丝放在电阻式加热源上,并将清洁的基片固定在样品架上;用电子束加热使三氧化钨升华并沉积在基片上,真空镀膜机真空室压力为10<SUP>-2</SUP>-10<SUP>-3</SUP>Pa,真空室温度为200-300℃,电子束流为0.1-0.2mA;通过电阻加热蒸镀一层铂催化层,真空室压力为5-6.5×10<SUP>-3</SUP>Pa,真空室温度为200-300℃,阻蒸电流在120-245A之间。本发明具有成本低,方法简单,薄膜质量好,均匀,变色响时间短等优点。
申请公布号 CN1142317C 申请公布日期 2004.03.17
申请号 CN01107472.8 申请日期 2001.01.19
申请人 中国科学院广州能源研究所 发明人 沈辉;卢志坚;徐雪青
分类号 C23C14/08;C23C14/30 主分类号 C23C14/08
代理机构 广州知友专利代理有限公司 代理人 李志明
主权项 1、一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)清洗基片;(2)将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中,将铂丝放在电阻式加热源上,并将清洁的基片固定在样品架上;(3)用电子束加热使三氧化钨升华并沉积在基片上,真空镀膜机真空室压力为10-2-10-3Pa,真空室温度为200-300℃,电子束流为0.1-0.2mA;(4)通过电阻加热蒸镀一层铂催化层,真空室压力为5-6.5×10-3Pa,真空室温度为200-300℃,阻蒸电流在120-245A之间。
地址 510070广东省广州市先烈中路81号大院广州能源研究所