发明名称 磁阻记忆体单元阵列及包含该阵列之磁阻随机存取记忆体
摘要 本发明描述一种具有以逻辑组织的列与行排列的磁阻记忆体单元之矩阵。每一记忆体单元包括一磁阻元件。该矩阵包含用于同时读取一行中一单元并写入一行中另一单元之装置,或用于同时读取一列中一单元并写入该相同列中另一单元之装置。该矩阵可用于同时读写磁阻随机存取记忆体中。
申请公布号 TW200404308 申请公布日期 2004.03.16
申请号 TW092113473 申请日期 2003.05.19
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 安东尼 曼德 赫曼 狄特威;罗杰 古本斯
分类号 G11C8/16;G11C11/16 主分类号 G11C8/16
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 荷兰