发明名称 胞元组内记忆胞元之可变电容
摘要 本案系揭示一种具有不同电容之电容器记忆体链结,该不同电容系取决于该记忆体链结内、各个记忆体胞元之位置。该电容器之不同电容可以使这个记忆体链结内、各个记忆体胞元均具有约略相同之有效电容。
申请公布号 TW200404363 申请公布日期 2004.03.16
申请号 TW092114099 申请日期 2003.05.23
申请人 亿恒科技股份公司;东芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION 日本 发明人 高岛大差部郎;米夏埃尔 雅各布;诺贝尔特 雷姆;耶尔格 沃夫法尔特
分类号 H01L27/108;H01L27/115 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国
您可能感兴趣的专利