| 发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT ELECTRONIQUE INTEGRE ET DISPOSITIF ELECTRIQUE INCORPORANT UN COMPOSANT INTEGRE AINSI OBTENU |
| 摘要 |
<P>Un procédé de réalisation d'un composant électronique comprend le recouvrement d'un substrat (100) par une portion (P) délimitant avec le substrat un volume (V) rempli au moins partiellement d'un matériau temporaire, l'évacuation du matériau temporaire par une cheminée (C) d'accès audit volume, et le dépôt d'un matériau de remplissage (7) dans ledit volume à partir de précurseurs amenés par la cheminée. Le procédé est particulièrement adapté pour la réalisation d'une grille d'un transistor de type MOS. Dans ce cas, le matériau de remplissage est conducteur, et un matériau isolant électrique de revêtement (8) peut aussi être déposé dans ledit volume avant le matériau de remplissage conducteur.</P> |
| 申请公布号 |
FR2844396(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.12 |
| 申请号 |
FR20030002772 |
申请日期 |
2003.03.06 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS SA;FRANCE TELECOM |
发明人 |
BUSTOS JESSY;CORONEL PHILIPPE;REGNIER CHRISTOPHE;WACQUANT FRANCOIS;TAVEL BRICE;SKOTNICKI THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/8238;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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