发明名称 相变化型光资讯记录媒体
摘要 提供于低线速至高线速之广泛范围中之具有良好记录再生特性之相变化型光资讯记录媒体。一种于透明基板上依序累积第1保护层,记录层,第2保护层,以及反射层所形成之相变化型光资讯记录媒体,于假定最低记录线速度为v1,最高记录线速度为v2,以及读出时之调制度I(v)之际,I(v2)/I(v1)之值为1至1.2之范围内。请参照第1图。
申请公布号 TW579516 申请公布日期 2004.03.11
申请号 TW090120044 申请日期 2001.08.14
申请人 理光股份有限公司 发明人 加藤将纪;山田胜幸;中村有希
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种于透明基板上依序沈积第1保护层、记录层、第2保护层、以及反射层所形成之相变化型光资讯记录媒体,其特征为:于假定最低记录线速度为v1,最高记录线速度为v2,以及读出时之调制度I(v)之际,I(v2)/I(v1)之値为1至1.2之范围内。2.如申请专利范围第1项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述最低记录线速度v1与上述最高记录线速度v2之比为v2/v1≧2.5。3.如申请专利范围第1项或第2项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述最低记录线速度v1为在4.8m/s以上、14.4m/s以下之范围内。4.如申请专利范围第3项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述最高记录线速度v2为在12.0m/s以上、28.8 m/s以下之范围内。5.如申请专利范围第1.2或4项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述记录层以AgInSbTe为主成分。6.如申请专利范围第1.2或4项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述记录层以AgInSbTe为主成分,并添加N。7.如申请专利范围第1.2或4项之相变化型光资讯记录媒体,其中,上述记录层之膜厚为于13nm以上,23nm以下之范围。图式简单说明:第1图系为显示本发明之实施形态之相变化型光资讯记录媒体之剖面图。第2图系为显示实施形态之3T纹间表面波形跳动特性之说明图。第3图系为显示实施形态之3T凹坑波形跳动特性之说明图。第4图系为显示针对本实施形态之记录层膜厚之调制度的依存性之说明图。第5图系为显示针对本实施形态之记录层膜厚之3T纹间表面波形跳动特性之说明图。
地址 日本
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