| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置,其特征为具有:能够排气呈真空的反应槽、及被配置在该反应槽内之防止附着容器、及在上述防止附着容器内,使形成膜对象物设置之支持台、及与上述支持台相向配置,在上述防止附着容器内能够使气体喷出方式而构成之第1气体导入装置、及可以使气体在上述第1气体导入装置与上述支持台之间喷出而构成之第2气体导入装置,且前述防止附着容器系内藏加热器所构成。2.一种薄膜形成装置,其特征为具有:能够排气呈真空的反应槽、及被配置在该反应槽内之防止附着容器、及在上述防止附着容器内,使形成膜对象物设置之支持台、及与上述支持台相向配置,在上述防止附着容器内能够使气体喷出方式而构成之第1气体导入装置、及可以使气体在上述第1气体导入装置与上述支持台之间喷出而构成之第2气体导入装置,而上述防止附着容器至少以可使上述形成膜对象物附近的温度维持在150℃以上,300℃以下之方式所构成。3.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中上述第1气体导入装置,系具有使多数喷出口形成在大约同一平面上之莲蓬状喷嘴。4.如申请专利范围第2项之薄膜形成装置,其中上述第1气体导入装置,系具有使多数喷出口形成在大约同一平面上之莲蓬状喷嘴。5.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中上述第2气体导入装置,系使中空管成形为环状,并具有使多数喷出口形成在该中空管上之喷嘴部。6.如申请专利范围第2项之薄膜形成装置,其中上述第2气体导入装置,系使中空管成形为环状,并具有使多数喷出口形成在该中空管上之喷嘴部。7.如申请专利范围第3项之薄膜形成装置,其中上述第2气体导入装置,系使中空管成形为环状,并具有使多数喷出口形成在该中空管上之喷嘴部。8.如申请专利范围第4项之薄膜形成装置,其中上述第2气体导入装置,系使中空管成形为环状,并具有使多数喷出口形成在该中空管上之喷嘴部。9.一种钨薄膜之制造方法,系属于使化学构造中具有氮原子之第1原料气体、及化学构造中具有钨原子之第2原料气体喷出到反应槽内,使上述第1原料气体与上述第2原料气体反应,而在形成膜对象物表面形成氮化钨薄膜之钨薄膜形成方法,其特征为:从上述第1原料气体之喷出位置至上述成膜对象物表面之高度,不同于从上述第2原料气体之喷出位置至上述形成膜对象物表面之高度,且前述反应槽内设置具有加热器的防止附着容器,并将前述形成膜对象物配置在防止附着容器内。10.一种钨薄膜之制造方法,系属于使化学构造中具有氮原子之第1原料气体、及化学构造中具有钨原子之第2原料气体喷出到反应槽内,使上述第1原料气体与上述第2原料气体反应,而在形成膜对象物表面形成氮化钨薄膜之钨薄膜形成方法,其特征为:从上述第1原料气体之喷出位置至上述形成膜对象物表面之高度,不同于从上述第2原料气体之喷出位置至上述形成膜对象物表面之高度,且前述反应槽内设置具有加热器的防止附着容器,并将前述形成膜对象物配置在防止附着容器内,而上述防止附着容器至少在将上述形成膜对象物周围温度昇温到150℃以上至250℃以下之温度时,使上述第1.第2原料气体喷出至上述防止附着容器内。11.如申请专利范围第9项之钨薄膜之制造方法,其中在上述第1.第2原料气体之中,将其中任一方原料气体由上述形成膜对象物表面之垂直上方,朝向上述形成膜对象物表面喷出。12.如申请专利范围第10项之钨薄膜之制造方法,其中在上述第1.第2原料气体之中,将其中任一方原料气体由上述形成膜对象物表面之垂直上方,朝向上述形成膜对象物表面喷出。13.如申请专利范围第9项之钨薄膜之制造方法,其中上述第1原料气体与上述第2原料气体之中,使得由较低位置所喷出之原料气体,从上述形成膜对象物侧方喷出。14.如申请专利范围第10项之钨薄膜之制造方法,其中上述第1原料气体与上述第2原料气体之中,使得由较低位置所喷出之原料气体,从上述形成膜对象物侧方喷出。15.如申请专利范围第11项之钨薄膜之制造方法,其中上述第1原料气体与上述第2原料气体之中,使得由较低位置所喷出之原料气体,从上述形成膜对象物侧方喷出。16.如申请专利范围第12项之钨薄膜之制造方法,其中上述第1原料气体与上述第2原料气体之中,使得由较低位置所喷出之原料气体,从上述形成膜对象物侧方喷出。图式简单说明:第1图为本发明之薄膜形成装置之一实施例。第2图为其防止附着容器之说明图。第3图(a):环状喷嘴部之立体图;(b):该部分之放大图;(c):其他形状之喷嘴部的立体图;第4图(a):本发明之莲蓬状喷嘴之实施例的平面图;(b):先行技术之莲蓬状喷嘴之平面图的要部立体图。第5图(a)~(c):形成氮化钨薄膜及铜薄膜之制程图。第6图为先行技术之钨薄膜形成装置。 |
