| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备有形成于半导体基板上之绝缘层,该绝缘层,系具备有沿伸于一定方向的凹部,而用以限定前述凹部之侧壁间的距离,系随着远离前述半导体基板而变大,该半导体装置,更具备有用以填充前述凹部之导电层,前述绝缘膜之顶面和前述导电层之顶面,系大致在同一平面上,用以限定前述凹部之前述侧壁,系具备有曲面,而该曲面之曲率中心,系位于前述侧壁之内侧上。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述导电层,系由单一或者许多种之导电材料所构成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述凹部之底壁,系由前述半导体基板之表面所构成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述凹部之底壁,系由前述半导体基板上之导电区域的表面所构成。5.一种半导体装置,系具备有:形成于半导体基板上并且沿伸于一定方向的导电层;以及用以覆盖前述导电层的绝缘层;其中,用以限定前述导电层之侧壁间的距离,系随着远离前述半导体基板而变小,用以限定前述导电层之前述侧壁,系具备有曲面,而该曲面之曲率中心,系位于前述侧壁之内侧上。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述导电层和前述绝缘层系具备有顶面,而前述绝缘层之顶面和前述导电层之顶面系几乎在同一平面上。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中前述导电层,系由单一或者许多种之导电材料所构成。8.一种半导体装置之制造方法,系具备有以下所叙述之作业:在半导体基板上形成绝缘层之作业;在前述绝缘层之表面上形成沿伸于一定方向的凹部之作业;藉由对于前述绝缘层之表面进行等方性蚀刻处理,以便于加工前述凹部,而使得用以限定前述凹部之侧壁具备有曲面之作业;以及形成导电层用以填充被加工过之前述凹部之作业;其中,在加工前述凹部之作业中,系加工前述凹部,以便于使得前述曲面之曲率中心,位于前述侧壁之内侧上。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中形成前述导电层之作业,系包含有:填充被加工过之前述凹部,并堆积用以覆盖前述绝缘层之导电材料的作业;以及除去前述导电材料而一直到曝露出前述绝缘层之表面为止,以形成前述导电层的作业。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中形成前述凹部之作业,系包含对于前述绝缘层进行异方性蚀刻处理的作业。11.一种半导体装置之制造方法,系具备有以下所叙述之作业:在半导体基板上形成沿伸于一定方向的导电层之作业;以及藉由对于前述导电层进行等方性蚀刻处理,以便于加工前述导电层,而使得用以限定前述导电层之侧壁具备有曲面之作业;以及形成用以覆盖被加工过之前述导电层之绝缘层之作业;其中,在加工前述凹部之作业中,系加工前述凹部以便于使得前述曲面之曲率中心,位于前述侧壁之内侧上。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中形成前述导电层之作业,系包含有对于前述导电材料进行异方性蚀刻处理的作业。图式简单说明:图1系为按照本发明之实施形态1之半导体装置之俯视图。图2系为用以显示出该沿着图1中之Ⅱ-Ⅱ线之所观察到之剖面之图式。图3系为用以显示出图2所示之半导体装置之制造方法之第1作业之剖面图。图4系为用以显示出图2所示之半导体装置之制造方法之第2作业之剖面图。图5系为用以显示出图2所示之半导体装置之制造方法之第3作业之剖面图。图6系为按照本发明之实施形态2之半导体装置之俯视图。图7系为用以显示出该沿着图6中之Ⅶ-Ⅶ线之所观察到之剖面之图式。图8系为用以显示出图7所示之半导体装置之制造方法之第1作业之剖面图。图9系为用以显示出图7所示之半导体装置之制造方法之第2作业之剖面图。图10系为用以显示出图7所示之半导体装置之制造方法之第3作业之剖面图。 |
