| 主权项 |
1.一种半导体装置制造方法,包括:步骤(a)在一半导体晶圆上形成复数个半导体晶片;及步骤(b)在晶圆状态下即对所有该复数个半导体晶片施行封装制程;其中该步骤(a)包括步骤(a1)在该半导体晶圆之该复数个半导体晶片上形成半导体构件,步骤(a2)在该复数个半导体晶片上形成接线层,及步骤(a3)在该复数个半导体晶片上形成第一绝缘层,其中在该接线层之最上接线层中形成之第一连接端子上表面被露出;及该步骤(b)包括步骤(b1)在该第一绝缘层表面上形成接线层,使得接线层之第一接线部连接至该第一连接端子且其第二接线部构成第二连接端子,而利用无光罩之微影技术形成至少部分此接线层,及步骤(b2)在该接线层表面上形成第二绝缘层,其中该第二连接端子上表面被露出。2.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b1)中,利用具光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。3.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b1)中,利用无光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。4.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b1)中,利用具光罩之微影技术及无光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。5.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b2)中,利用无光罩之微影技术形成该第二绝缘层之该第一部之开孔。6.一种半导体装置制造方法,包括:步骤(a)在一半导体晶圆上形成复数个半导体晶片;及步骤(b)在晶圆状态下即对所有该复数个半导体晶片施行封装制程;其中该步骤(a)包括步骤(a1)在该半导体晶圆之该复数个半导体晶片上形成半导体构件,步骤(a2)在该复数个半导体晶片上形成接线层,及步骤(a3)在该复数个半导体晶片上形成第一绝缘层,其中在该接线层之最上接线层中形成之第一连接端子上表面被露出;及该步骤(b)包括步骤(b1)在该第一绝缘层表面上形成应力缓冲层,其中该第一连接端子之上表面被露出,步骤(b2)在该应力缓冲层表面上形成接线层,使得接线层之第一接线部连接至该第一连接端子且其第二接线部构成第二连接端子,而利用无光罩之微影技术形成至少部分此接线层,及步骤(b3)在该接线层表面上形成第二绝缘层,其中该第二连接端子之上表面被露出。7.如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b2)中,利用具光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。8.如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b2)中,利用无光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。9.如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b2)中,利用具光罩之微影技术及无光罩之微影技术形成该接线层之该第一接线部,并利用无光罩之微影技术形成该第二接线部。10.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,其中在该步骤(b3)中,利用无光罩之微影技术形成该第二绝缘层之该第一部之开孔。11.如申请专利范围第1项之半导体装置制造方法,更包括在该步骤(b)后,(c)在该第二连接端子上形成外部连接端子之步骤,及(d)自该半导体晶圆个别切割复数个半导体晶片之步骤。12.如申请专利范围第11项之半导体装置制造方法,更包括在该步骤(d)后,(e)于该半导体晶片上之外部连接端子与该电路板间插入填充材料之状态下,经该外部连接端子在电路板上固接该半导体晶片之步骤。13.如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法,更包括在该步骤(b)后,(c)在该第二连接端子上形成外部连接端子之步骤,及(d)自该半导体晶圆个别切割复数个半导体晶片之步骤。14.如申请专利范围第13项之半导体装置制造方法,更包括在该步骤(d)后,(e)于该半导体晶片上之外部连接端子与该电路板间插入填充材料之状态下,经该外部连接端子在电路板上固接该半导体晶片之步骤。15.一种半导体装置制造方法,包括:步骤(a)在一半导体晶圆上形成复数个半导体晶片;及步骤(b)在晶圆状态下即施行所有封装制程;其中该步骤(a)包括步骤(a1)在该半导体晶圆之该复数个半导体晶片上形成半导体构件,步骤(a2)在该复数个半导体晶片上形成接线层,及步骤(a3)在该复数个半导体晶片上形成第一绝缘层,其中在该接线层之最上接线层中形成之第一连接端子上表面被露出;及该步骤(b)包括步骤(b1)在该第一绝缘层表面上形成接线层,使得该接线层之第一接线部连接至该第一连接端子且其第二接线部构成第二连接端子,而以来自光源之光线照射具复数个可微移镜之装置,并依预设图样操作此装置之镜,藉由暴露于反射光下形成至少部分此接线层,及步骤(b2)在该接线层表面上形成第二绝缘层,其中该第二连接端子之上表面被露出。16.一种半导体装置制造方法,包括:步骤(a)在一半导体晶圆上形成复数个半导体晶片;及步骤(b)在晶圆状态下即对所有该复数个半导体晶片施行封装制程;其中该步骤(a)包括步骤(a1)在该半导体晶圆之该复数个半导体晶片上形成半导体构件,步骤(a2)在该复数个半导体晶片上形成接线层,及步骤(a3)在该复数个半导体晶片上形成第一绝缘层,其中在该接线层之最上接线层中形成之第一连接端子上表面被露出;及该步骤(b)包括步骤(b1)在该第一绝缘层表面上形成应力缓冲层,其中该第一连接端子之上表面被露出,步骤(b2)在该应力缓冲层表面上形成接线层,使得接线层之第一接线部连接至该第一连接端子且其第二接线部构成第二连接端子,而以来自光源之光线照射具复数个可微移镜之装置,并依预设图样操作此装置之镜,藉由暴露于反射光下形成至少部分此接线层,及步骤(b3)在该接线层表面上形成第二绝缘层,其中该第二连接端子之上表面被露出。图式简单说明:图1(a)与1(b)系接线连接图,其中显示构成本发明之一实施例之半导体装置中之再接线之接线连接结构;图2(a)与2(b)系与图1(a)与1(b)分别对应之透视图,其中显示构成本发明之一实施例之半导体装置中之再接线之接线连接结构;图3(a)与3(b)系在本发明之一实施例中之相异再接线之接线连接结构透视图;图4(a)与4(b)系用以阐释在本发明之一实施例中之半导体装置中之字元-位元架构之变化概念接线图;图5(a)至5(e)系示例性图式,其中描绘在本发明之一实施例中之半导体装置制造过程;图6阐释在本发明之一实施例中,具中央垫布局结构之半导体装置平面图;图7阐释在本发明之一实施例中,具四侧垫布局结构之半导体装置角落部分平面图;图8系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中之第一步骤;图9系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中之第二步骤;图10(a)至10(c)系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中之第三步骤;图11(a)与11(b)系示例性图式,其中显示在本发明之一实施例中之半导体装置制造过程中之光罩图样;图12(a)与12(b)系示例性图式,其中显示在本发明之一实施例中之半导体装置制造过程中之无罩曝光;图13(a)与13(b)阐释在本发明之一实施例中之半导体装置制造过程中之无罩曝光;图14(a)至14(c)系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中另一第三步骤;图15(a)至15(d)系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中另一第三步骤;图16系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中之第四步骤;图17系半导体装置之必要部分剖面图,其中阐释在本发明之一实施例之半导体装置制造过程中之第五步骤;图18显示经研究为本发明中不可或缺之半导体装置中之再接线之接线连接结构透视图;及图19显示在本发明之一实施例中,具多晶片模组结构之半导体装置之另一实例剖面图。 |
