| 主权项 |
1.一种平坦化一半导体晶圆之方法,包括下列步骤:遮蔽半导体晶圆,以便相对于半导体晶圆一金属层之高地形特点而选择地于半导体晶圆金属层之低地形特点上形成一阻抗膜,以在半导体晶圆金属层之低地形特点处抗拒一研磨液之化学反应及溶解;以及以一研磨垫和该研磨液研磨该金属层而以一较之该低地形特点为快之移除率化学地反应和溶解该高地形特点,且以一缩少之研磨时间而达成该半导体晶圆之平坦化。2.如申请专利范围第1项之方法,其中屏蔽之步骤包括当形成步骤于低地形特点形成与屏蔽分隔之阻抗膜时,以一遮蔽撞击该高地形特点而减少该阻抗膜形成于该高地形特点上。3.如申请专利范围第2项之方法,尚包括步骤:于低地形特点和屏蔽之间,引入一薄膜形成气体环境,以及该形成包括以一薄膜形成气体环境接触该低地形特点以便于该低地形特点上形成阻抗膜。4.如申请专利范围第1项之方法,尚包括步骤:回火该金属层,以及于回火该金属层时形成阻抗膜于半导体晶圆金属层之低地形特点之上之步骤。5.一种平坦化一半导体晶圆之方法,包括下列步骤:遮蔽半导体晶圆,以便相对于半导体晶圆一铜层之高地形特点而选择地于半导体晶圆铜层之低地形特点上形成一阻抗膜,以在半导体晶圆铜层之低地形特点处抗拒一研磨液之化学反应及溶解;以及以一研磨垫和该研磨液研磨该铜层而以一较之该低地形特点为快之移除率化学地反应和溶解该高地形特点,且以一缩少之研磨时间而达成该半导体晶圆之平坦化。6.如申请专利范围第5项之方法,其中屏蔽之步骤包括当形成步骤于低地形特点形成与屏蔽分隔之阻抗膜时,以一遮蔽撞击该高地形特点而减少该阻抗膜形成于该高地形特点上。7.如申请专利范围第6项之方法,尚包括步骤:于低地形特点和屏蔽之间,引入一薄膜形成气体环境,以及该形成包括以一薄膜形成气体环境接触该低地形特点以便于该低地形特点上形成阻抗膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该引入步骤包括于该低地形特点与该屏蔽之间引入氧气以形成氧化铜。9.如申请专利范围第5项之方法,尚包括步骤:回火该金属层,以及于回火该金属层时形成阻抗膜于半导体晶圆金属层之低地形特点之上之步骤。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该屏蔽用氧化铜形成阻抗膜。图式简单说明:图1系为一半导体晶圆之片段、放大、沿着边缘之检视图,其中该晶圆被倒置且撞击一屏障,该晶圆具有高地形特点和低地形特点。图2系为相似于图1之检视图,且揭示该晶圆为具有选择性地形成在低地形特点上之阻抗膜。图3系为相似于图2之检视图,且揭示在被研磨以从晶圆移除高地形特点之后之晶圆。图4系为改造一具有选择性地形成在晶圆上之低地形特点之阻抗膜的半导体晶圆之装置的概略图。 |
