具有针对最小写入至读取循轨误差而最佳化的径向偏移之双元件读写头

摘要

一种用于一直接存取储存装置(DASD)之双元件读写头将读取及写入元件相互定位，使相同的伺服轨迹可用于磁碟外径(OD)上的读取及写入作业。当磁头自OD朝向磁碟内径(ID)移动通过磁碟之上时，将不同的伺服轨迹用来将读取及写入元件定位于相同的轨迹。因而将在OD上时总 TMR的STW TMR部分降至最低的零，因而在OD上时的总TMR主要是只随着传统WW TMR及WR TMR成分而变。当磁头总成朝向ID移动时，该STW TMR变大，因而在ID上的总TMR将随着该STW TMR及其余的TMR成分而变。然而，在ID上总TMR的读取至写入元件补偿误差成分系小于在OD上的补偿误差成分，且更易于利用知的伺服读回信号处理方法来处理在ID上的该补偿误差成分，且较易于执行伺服控制器采用的典型信号处理。

主权项

1.一种用于一直接存取储存装置(Direct Access StorageDevice;DASD)之读写头,该读写头包含:一写入元件,用以接收一写入信号,并在一写入程序中使资料记录在一记录磁碟的表面;以及一读取元件,用以自各伺服轨迹及各资料轨迹将该记录磁碟的表面上记录的资料换能,及在一读回程序中产生读回信号;其中该读取元件及写入元件相互之间有一径向偏移,使得在外径(Outside Diameter;OD)上,在相同的伺服轨迹中该读取元件及写入元件对准,且在该OD上将相同的伺服轨迹用于读取及写入作业,藉而在读回程序中,将OD上的伺服写入器TMR之影响降低到最小的零,且OD上的总TMR主要是随着传统的写入至读取(Write-Read;WR)TMR误差及写入至写入(Write-Write;WW)TMR误差而变,且其中在磁碟内径(Inside Diameter;ID)上,系将不同的伺服轨迹用于读取及写入元件,使得ID上的总TMR系随着WW TMR、WR TMR成分、及伺服写入器TMR而变。2.如申请专利范围第1项之读写头,其中径向偏移x是该写入元件的中心与该读取元件的中心间之横向距离,且系由关系式x=g tan()所规定,其中g是该读取元件与该写入元件间之隔离,是该写入元件与该读取元件间之歪斜角,使是Rx、P、及L的一函数(其中P>L),且其中Rx等于自磁碟中心到OD资料轨迹上的一读写头切线点之磁碟半径距离,P是自磁碟中心到磁碟臂的一枢轴点之距离,且L是自该磁碟臂枢轴点到该切线点之距离。3.如申请专利范围第2项之读写头,其中系由下列方程式界定以度为单位的该歪斜角:=90-cos-1[(Rx2+L2-P2)/2RxL]4.如申请专利范围第1项之读写头,其中该读写头包含一磁阻式(Magneto-Resistive;MR)磁头。5.一种资料储存装置,包含:一磁性记录媒体;以及一个双元件磁头,该双元件磁头具有一写入元件及一读取元件,其中该写入元件接收一写入信号,并在一写入程序中使资料记录在一记录磁碟的表面,且该读取元件自各伺服轨迹及各资料轨迹将该记录磁碟的表面上记录的资料换能,并在一读回程序中产生一读回信号;其中该读取元件及写入元件相互之间有一径向偏移,使得在外径(OD)上,在相同的伺服轨迹中该读取元件及写入元件对准,且在该OD上将相同的伺服轨迹用于读取及写入作业,藉而在该读回程序中,将OD上的伺服写入器TMR之影响降低到最小的零,且OD上的总TMR主要是随着传统的写入至读取(WR)TMR误差及写入至写入(WW)TMR误差而变,且其中在磁碟内径(ID)上,系将不同的伺服轨迹用于读取及写入元件,使得ID上的总TMR系随着WW TMR、WRTMR成分、及伺服写入器TMR而变。6.如申请专利范围第5项之资料储存装置,其中径向偏移x是该写入元件的中心与该读取元件的中心间之横向距离,且系由关系式x = g tan()所规定,其中g是该读取元件与该写入元件间之隔离,是该写入元件与该读取元件间之歪斜角,使是Rx、P、及L的一函数(其中P>L),且其中Rx等于自磁碟中心到OD资料轨迹上的一读写头切线点之磁碟半径距离,P是自磁碟中心到磁碟臂的一枢轴点之距离,且L是自该磁碟臂枢轴点到该切线点之距离。7.如申请专利范围第6项之资料储存装置,其中系由下列方程式界定以度为单位的该歪斜角:=90- cos - 1[(Rx2+L2-P2)/2RxL]8.如申请专利范围第5项之资料储存装置,其中该读写头包含一磁阻式(MR)磁头。9.一种为一磁碟资料储存装置决定一个双元件磁头总成中的一写入元件与一读取元件间之歪斜角之方法,该磁碟资料储存装置具有一用来将该磁头移动通过该磁碟之上的一臂,该方法包含下列步骤:决定Rx,而Rx是自磁碟中心到一磁碟外径(OD)资料轨迹上的一磁头总成切线点之磁碟半径距离;决定P,而P是自磁碟中心到磁碟臂的一枢轴点之距离;决定L,而L是自该磁碟臂枢轴点到该切线点之距离;以及计算由下列方程式界定的以度为单位之该歪斜角:=90- cos - 1[(Rx2+L2-P2)/2RxL]使得该读取元件及写入元件相互之间有一径向偏移,因而在外径(OD)上,系在相同的伺服轨迹中对准该读取元件及写入元件,且在该OD上将相同的伺服轨迹用于读取及写入作业,藉而在该读回程序中,将OD上的伺服写入器TMR之影响降低到最小的零,且OD上的总TMR主要是随着传统的写入至读取(WR)TMR误差及写入至写入(WW)TMR误差而变,且其中在磁碟内径(ID)上,系将不同的伺服轨迹用于读取及写入元件,因而ID上的总TMR系随着WW TMR、WR TMR成分、及伺服写入器TMR而变。10.如申请专利范围第9项之方法,其中径向偏移x是该写入元件的中心与该读取元件的中心间之横向距离,且系由关系式x=g tan()所规定,式中,g系读取元件间的隔离。图式简单说明:图1是一习用技术磁碟机储存系统之平视示意图,图中示出一个具有纵向对准的读取及写入元件之双元件磁头。图2是一习用技术磁碟机储存系统之平视示意图,图中示出一个具有纵向对准的读取及写入元件之双元件磁头,该读取及写入元件具有径向偏移,以便尽量降低当磁头总成移动通过磁碟的半途中移动引动器所需的距离。图3是设有根据本发明而建构的一磁碟臂及磁头总成的一磁碟机储存系统之平视示意图。图4是图3所示双元件磁头总成之平视示意图。图5是图3所示磁碟机储存系统之方块图。