| 主权项 |
1.一种开窗型球栅阵列半导体封装件之制法,系包括下列步骤:制备一基板,具有一上表面及一相对之下表面,该基板并开设有至少一贯穿该上、下表面之开口;藉一胶黏剂接置至少一晶片于该基板之上表面上,该晶片具有一作用表面及一相对之非作用表面,使该晶片之作用表面覆盖住该基板之开口而令该作用表面之电性区外露于该开口中;形成多数焊线于该基板之开口中,以使该晶片之电性区藉该焊线而电性连接至该基板之下表面;进行一模压作业以于该基板之上表面上形成一第一封装胶体,使该第一封装胶体包覆该晶片;进行一印刷作业以于该基板之下表面上形成一第二封装胶体,使该第二封装胶体填充该开口并包覆该焊线;以及植接多数焊球于该基板之下表面上不影响该第二封装胶体之区域。2.如申请专利范围第1项之制法,其中,该晶片之作用表面的电性区上形成有多数焊垫,使该焊垫外露于该基板之开口中。3.如申请专利范围第2项之制法,其中,该焊线系焊接至该外露之焊垫。4.如申请专利范围第1项之制法,其中,该晶片之尺寸系足以完全覆盖住该基板之开口。5.如申请专利范围第1项之制法,其中,该第一及第二封装胶体系以不同树脂材料制成。6.如申请专利范围第1项之制法,其中,该晶片之非作用表面系外露出该第一封装胶体。7.如申请专利范围第1项之制法,其中,该焊球之高度系大于该第二封装胶体突出该基板下表面之厚度。8.一种开窗型球栅阵列半导体封装件之制法,系包括下列步骤:制备一由多数基板构成之基板片,各该基板具有一上表面及一相对之下表面,并开设有至少一贯穿该上、下表面之开口;藉一胶黏剂接置至少一晶片于各该基板之上表面上,该晶片具有一作用表面及一相对之非作用表面,使该晶片之作用表面覆盖住该基板之开口而令该作用表面之电性区外露于该开口中;形成多数焊线于各该基板之开口中,以使该晶片之电性区藉该焊线而电性连接至该基板之下表面;进行一模压作业以于该基板之上表面上形成一第一封装胶体,使该第一封装胶体包覆所有晶片;进行一印刷作业以于各该基板之下表面上形成一第二封装胶体,使该第二封装胶体填充该开口并包覆该焊线;植接多数焊球于各该基板之下表面上不影响该第二封装胶体之区域;以及进行一切单作业以切割入该第一封装胶体并分离开各该基板,而形成多数单离之半导体封装件。9.如申请专利范围第8项之制法,其中,该晶片之作用表面的电性区上形成有多数焊垫,使该焊垫外露于该基板之开口中。10.如申请专利范围第9项之制法,其中,该焊线系焊接至该外露之焊垫。11.如申请专利范围第8项之制法,其中,该晶片之尺寸系足以完全覆盖住该基板之开口。12.如申请专利范围第8项之制法,其中,该第一及第二封装胶体系以不同树脂材料制成。13.如申请专利范围第8项之制法,其中,该晶片之非作用表面系外露出该第一封装胶体。14.如申请专利范围第8项之制法,其中,该焊球之高度系大于该第二封装胶体突出该基板下表面之厚度。图式简单说明:第1A至1F图系用以显示本发明第一实施例之半导体封装件之制法过程剖面示意图;第2A至2D图系用以显示本发明第二实施例之半导体封装件之制法过程剖面示意图;第3图系用以显示本发明第三实施例之半导体封装件之剖视图;第4图系用以显示习知开窗型半导体封装件之剖视图;第5A至5C图系用以显示另一习知开窗型半导体封装件之制法过程剖面示意图;以及第6A至6D图系用以显示又一习知开窗型之半导体封装件之制法过程剖面示意图。 |
