| 主权项 |
1.一种复晶矽薄膜电晶体之基板结构,系应用于进 行将一非晶质矽膜经热处理以形成复晶矽的制程, 其包含有: 一玻璃基板; 一热缓冲层,系形成于该玻璃基板的一表面,用以 减缓热处理后的降温速度;及 一绝缘氧化层,系披覆于该热缓冲层表面,该非晶 质矽膜系层叠于该绝缘氧化层之上。2.如申请专 利范围第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构 ,其中该绝缘氧化层的厚度为1300埃(A)。3.如申请专 利范围第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构 ,其中该热缓冲层系由一氮化矽层和一氧化矽层所 组成。4.如申请专利范围第3项所述之复晶矽薄膜 电晶体之基板结构,其中该氮化矽层为500埃(A),该 氧化矽层之厚度大于200埃(A)。5.如申请专利范围 第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中 该热缓冲层系由一氮化矽层和一氮氧化矽层所组 成。6.如申请专利范围第5项所述之复晶矽薄膜电 晶体之基板结构,其中该氮化矽层为500埃(A),该氮 氧化矽层之厚度大于200埃(A)。7.如申请专利范围 第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中 该热缓冲层系由一氧化矽层和一氮氧化矽层所组 成。8.如申请专利范围第7项所述之复晶矽薄膜电 晶体之基板结构,其中该氮氧化矽层为500埃(A),该 氧化矽层之厚度大于200埃(A)。9.如申请专利范围 第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中 该热缓冲层系为包含一氮化矽层之复合层叠。10. 如申请专利范围第1项所述之复晶矽薄膜电晶体之 基板结构,其中该热缓冲层之材质系为一低热传导 系数材料。11.一种复晶矽薄膜电晶体之制造方法, 系包含将一非晶质矽膜经一热处理步骤以形成一 复晶矽膜的制程,其特征在于:欲进行热处理之该 非晶质矽膜系舖设于一基板,该基板结构系依序由 一玻璃基板、一热缓冲层与一绝缘氧化层层叠而 成,该非晶矽膜系设于该绝缘氧化层表面,对该非 晶矽膜进行该热处理步骤时,该基板结构的该热缓 冲层能减缓该基板的降温速度,进而提供更充裕的 结晶时间形成该复晶矽膜。12.如申请专利范围第 11项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中该 绝缘氧化层的厚度为1300埃(A)。13.如申请专利范围 第11项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中 该热缓冲层系由一氮化矽层和一氧化矽层所组成 。14.如申请专利范围第13项所述之复晶矽薄膜电 晶体之基板结构,其中该氮化矽层为500埃(A),该氧 化矽层之厚度大于200埃(A)。15.如申请专利范围第 11项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中该 热缓冲层系由一氮化矽层和一氮氧化矽层所组成 。16.如申请专利范围第15项所述之复晶矽薄膜电 晶体之基板结构,其中该氮化矽层为500埃(A),该氮 氧化矽层之厚度大于200埃(A)。17.如申请专利范围 第11项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其中 该热缓冲层系由一氧化矽层和一氮氧化矽层所组 成。18.如申请专利范围第17项所述之复晶矽薄膜 电晶体之基板结构,其中该氮氧化矽层为500埃(A), 该氧化矽层之厚度大于200埃(A)。19.如申请专利范 围第11项所述之复晶矽薄膜电晶体之基板结构,其 中该热缓冲层系为包含一氮化矽层之复合层叠。 20.如申请专利范围第11项所述之复晶矽薄膜电晶 体之基板结构,其中该热缓冲层之材质系为一低热 传导系数材料。图式简单说明: 第1图为本发明第一实施例之基板结构示意图; 第2图为本发明第二实施例之基板结构示意图;及 第3图为本发明第三实施例之基板结构示意图。 |
