| 主权项 |
1.一种光学衰减器,其包含: 波导,该波导包含: 具有第一折射率之包层, 具有第二折射率之心蕊层,其中包层以及心蕊层由 相同的材料所构成,以及 具有第一弯曲半径之弯曲区域,以及 电极位于该弯曲区域上,使得当讯号被电极接收时 ,在弯曲区域中光学讯号之垂直光学限制被改变。 2.依据申请专利范围第1项之可变光学衰减器,其中 心蕊层由具有1.32至1.5范围之第一折射率的氟化丙 烯酸酯所构成;以及 包层由具有1.31至1.5范围之第二折射率的氟化丙烯 酸酯所构成。3.依据申请专利范围第1项之可变光 学衰减器,其中心蕊层以及包层由玻璃材料所构成 。4.依据申请专利范围第1项之可变光学衰减器,其 中更进一步包含: 光学装置耦合至该波导以及位于耦合区域之前,该 光学装置由方向耦合器,干涉仪,多模波导区段,以 及马赫伦德尔调变器所构成。5.依据申请专利范 围第1项之可变光学衰减器,其中更进一步包含: 光学装置耦合至该波导以及位于耦合区域之后,该 光学装置由方向耦合器,干涉仪,多模波导区段,以 及马赫伦德尔调变器所构成。6.依据申请专利范 围第1项之可变光学衰减器,其中更进一步包含: 光学装置耦合至该波导以及位于邻近弯曲区域,该 光学装置由方向耦合器,干涉仪,多模波导区段,以 及马赫伦德尔调变器所构成。7.依据申请专利范 围第1项之可变光学衰减器,其中更进一步包含: 回授感测器以及光学功率分接头位于弯曲区域之 后以感测光学讯号;以及 回授线路,连接至回授感测器以及电极以自动地控 制离开可变光学衰减装置之光学讯号功率。8.依 据申请专利范围第1项之可变光学衰减器,其中一 段弯曲区域为1公分以及离开弯曲区域之光学讯号 功率减小至少30dB。9.依据申请专利范围第1项之可 变光学衰减器,其中更进一步包含: 第一渐变部份由波导输入部份延伸至弯曲区域之 输入部份,其中波导之宽度在第一渐变部份内逐渐 地减小;以及 第二渐变部份由弯曲区域之输出部份延伸至波导 之输出部份,其中波导宽度在第二渐变部份内逐渐 地增加。10.依据申请专利范围第9项之可变光学衰 减器,其中波导输入及输出部份之一具有宽度约为 7微米以及其中弯曲区域之宽度约为3微米。11.一 种可变光学衰减之方法,其包含: 提供波导,其包含具有第一折射率之包层,具有第 二折射率之心蕊层,其中包层以及心蕊层以及由与 包层相同的材料所构成,具有第一弯曲半径之弯曲 区域,以及电极位于该弯曲区域上,以及 在弯曲区域中改变光学讯号之光模的垂直限制。 12.依据申请专利范围第1项之方法,其中更进一步 包含: 耦合光学装置紧邻于弯曲区域,光学装置由方向耦 合器,干涉仪,多模波导区段,以及马赫伦德尔调变 器所构成。13.依据申请专利范围第11项之方法,其 中更进一步包含: 自动地控制离开波导之光学讯号的输出功率。14. 依据申请专利范围第13项之方法,其中更进一步包 含: 提供回授感测器以及光学功率分接头位于弯曲区 域之后以感测光学讯号;以及 提供回授线路连接至回授感测器以及该电极以自 动地控制离开该波导之光学讯号功率。15.依据申 请专利范围第11项之方法,其中更进一步包含: 提供第一渐变部份由波导输入部份延伸至弯曲区 域之输入部份,其中波导之宽度在第一渐变部份内 逐渐地减小;及 提供第二渐变部份由弯曲区域之输出部份延伸至 波导之输出部份,其中波导宽度在第二渐变部份内 逐渐地增加。图式简单说明: 第一图(图1)为平面图示意性地显示出本发明一项 实施例之VOA。 第二图(图2)为沿着图I-I线展开之VOA断面图。 第三图(图3)为加热器温度增加已知的数量时VOA反 应曲线图。 第四图(图4)为本发明一项代表性实施例具有第一 加热器温度之第一光束传播曲线图。 第五图(图5)为本发明一项代表性实施例具有第二 加热器温度之第二光束传播曲线图。 第六图(图6)为曲线图,其显示出衰减线性地决定于 弯曲区域之长度。 第七图(图7)为平面图示意性地显示出本发明一项 实施例之VOA加入Y分支切换器。 第八图(图8)为平面图示意性地显示出回授控制线 路加入本发明另一项实施例VOA中。 第九图(图9)为曲线图,其显示出本发明波长相关性 。 第十图(图10)为本发明一项实施例图样,具有相关 断面图,其显示出沿着波导不同点处之光能的位置 。 第十一图(图11)为示意图,其显示出波长效应补偿 器加入本发明中。 第十二图(图12)为示意图,其显示出依据本发明优 先实施例之制造VOA的方法。 第十三图(图13)显示依据本发明另外一项实施例在 弯曲区域中之渐变波导。 第十四图(图14)为使用图13所示本发明实施例达成 衰减之曲线图。 第十五图(图15)为依据本发明另外一项实施例之示 意性方块图,其显示VOA放置于光学交互连接端部处 。 第十六图(图16)为优先低损耗波导聚合物材料之化 学结构。 |
