| 主权项 |
1.一种带电粒子束曝光设备,包含: 一带电粒子束源; 一电光系统,此由带电粒子束源所发射之带电粒子 束照射一装置材料,并包含一基体,具有供带电粒 子束发射之孔径; 一盖,此覆盖带电粒子束源及电光系统; 一调整机构,用以调整该盖之内部空间中之压力; 及 一放松机构,用以在内部空间中之压力改变时,放 松基体之上及下表面间之压力差。2.如申请专利 范围第1项所述之设备,其中,该放松机构具有一通 道,此使面对基体之空间可与该内部空间交通。3. 如申请专利范围第2项所述之设备,其中,该放松机 构具有一阀在该通道之一端或通道之半途上。4. 如申请专利范围第3项所述之设备,另包含一控制 器,用以控制该阀之开放程度。5.如申请专利范围 第4项所述之设备,其中 该设备另包含一感测器,用以量度有关基体之资讯 ,及 该控制器根据感测器之输出,控制该阀之开放程度 及该调整机构之至少之一。6.如申请专利范围第5 项所述之设备,其中,该感测器具有一压力感测器, 用以侦测基体之上及下表面间之压力差。7.如申 请专利范围第5项所述之设备,其中,该感测器具有 一光感测器,用以由光侦测基体之变形。8.如申请 专利范围第1项所述之设备,其中, 该电光系统具有多个基体,其中构制孔径,供带电 粒子束源所发射之带电粒子束发射,及 该放松机构放松每一基体之上及下表面间之压力 差。9.如申请专利范围第1项所述之设备,其中,该 放松机构放松该压力差,以防止基体之上及下表面 间之压力超差出预定范围。10.如申请专利范围第4 项所述之设备,其中,当带电粒子束曝光设备接通 或关断或维护,或发生紧急时,该控制器自动执行 控制。11.如申请专利范围第1项所述之设备,其中, 该基体具有一电极用以施加电位于基体之孔径上 。12.如申请专利范围第1项所述之设备,其中,该电 光系统包含: 多个基体,具有孔径供带电粒子束源所发射之带电 粒子束发射,并沿带电粒子束之径路上安排;及 间隔件,置于多个基体间之所有或一些间隔处。13. 如申请专利范围第12项所述之设备,其中,间隔件在 与多个基体中所构制之孔径相对应之位置处具有 孔径。14.如申请专利范围第1项所述之设备,其中 该电光系统包含多个基体,基体具有孔径,供带电 粒子束源所发射之带电粒子束发射,并沿带电粒子 束之径路上安排,及 多个基体之所有或一些安排成套合结构。15.如申 请专利范围第14项所述之设备,其中 多个基体分别具有膜片,其中构制孔径,及环形支 持件,此等支持膜片, 该电光系统另包含一底基体,此公共支持形成套合 堂构之基体之支持件,及 该底基体具有孔径,此使由套合结构所界定之一空 间可与该盖之内部空间交通。16.一种微装置制造 方法,包括步骤: 由带电粒子束源所发射之带电粒子束通过电光系 统照射该装置材料,绘制一图案于一装置材料上, 电光系统包含一基体具有一孔径供带电粒子束发 射;及 放松该基体之上及下表面间之压力差之改变。17. 如申请专利范围第16项所述之方法,其中,放松压力 差之改变之步骤包括调整覆盖带电粒子束源及电 光系统之一盖之内部空间中之压力之步骤,及控制 面对该基体之一空间及覆盖带电粒子束源及电光 系统之该盖之内部空间之间所置之一阀之步骤之 至少之一。18.如申请专利范围第16项所述之方法, 另包括步骤: 施敷一感光剂于装置材料上;及 对其上绘有图案之装置材料显影。19.一种微装置 制造方法,包括步骤: 安装多个半导体制造设备于一工厂中,包含一带电 粒子束曝光设备;及 由使用该多个半导体制造设备制造半导体装置, 其中,带电粒子束曝光设备具有 一带电粒子束源; 一电光系统,此由带电粒子束源所发射之带电粒子 束照射一装置材料,并包含一基体,具有供带电粒 子束发射之孔径; 一盖,此覆盖带电粒子束源及电光系统; 一调整机构,用以调整该盖之内部空间中之压力; 及 一放松机构,用以在内部空间中之压力改变时,放 松基体之上表面及下表面间之压力差。20.如申请 专利范围第19项所述之方法,另包括步骤: 经由地区网路连接多个半导体制造设备; 连接地区网路至工厂之一外部网路; 由使用地区网路及外部网路,自外部网路上之资料 库获得有关带电粒子束曝光设备之资讯;及 根据所获得之资讯,控制带电粒子束曝光设备。21. 一种带电粒子束曝光设备之维护方法,包括步骤: 在安装带电粒子束曝光设备之工厂之外网路上准 备一资料库,用以累积有关带电粒子束曝光设备之 维护之资讯; 连接带电粒子束曝光设备至工厂中之地区网路;及 由使用外部网路及地区网路,根据资料库中所累积 之资讯,维护带电粒子束曝光设备, 其中,该带电粒子束曝光设备具有 一带电粒子束源; 一电光系统,此由带电粒子束源所发射之带电粒子 束照射一装置材料,并包含一基体,具有供带电粒 子束发射之孔径; 一盖,此覆盖带电粒子束源及电光系统; 一调整机构,用以调整该盖之内部空间中之压力; 及 一放松机构,用以在内部空间中之压力改变时,放 松基体之上及下表面间之压力差。22.一种电光单 元,包括: 基体,具有带电粒子束通过之孔径; 盖,遮盖该基体,以致于上空间形成于该基体的上 侧上以及下空间形成于该基体的下侧;及 放松机构,使上空间与下空间之间的压力差放松。 23.一种带电粒子束曝光设备,使用带电粒子束以执 行图型化,该设备包括: 带电粒子束源;及 电光单元,包含 基体,具有带电粒子束通过的孔径; 盖,遮盖该基体,以致于上空间形成于该基体的上 侧上以及下空间形成于该基体的下侧;及 放松机构,使上空间与下空间之间的压力差放松。 24.如申请专利范围第23项之设备,其中,该基体在垂 直于该带电粒子束的行进路径之平面中具有带电 粒子束通过之衆多孔径。25.一种微装置制造方法, 包括下述步骤: 使用如申请专利范围第23项中界定的带电子束曝 光设备,以预定图型曝光基体;及 使该经过曝光的基体显影。图式简单说明: 图1显示本发明之较宜实施例之带电粒子束曝光设 备之概要安排; 图2为自电子枪所视之改正电光系统; 图3为沿图2之线A-A′所取之改正电光系统之断面 图; 图4概要显示在空白行列上所构制之多个偏向器( 空白器)之一; 图5显示第一及第二电光系统之结构; 图6为断面图,用以说明改正电光系统之功能; 图7A至7C用以说明缩小电光系统之失真; 图8为方块图,显示图1所示之电子束曝光设备之控 制系统之安排; 图9用以说明曝光程序; 图10为流程图,显示装置制造方法; 图11为流程图,显示装置制造方法; 图12为透视图,显示本发明之第一及第二实施例之 改正电光系统3之结构; 图13为沿图12之线A-A′上所收之本发明之第一实施 例之改正电光系统之断面图; 图14为孔径行列AA之平面图,用以说明阀14之布置; 图15为沿图12之线A-A′上所取之面发明之第二实施 例之改正电光系统之断面图; 图16为自下表面所视之底基体201之图; 图17显示在特定角度上所切取之整个系统; 图18显示在与图17不同之角度上所切取之此实施例 之整个系统之构想;及 图19显示显示器之使用者介面。 |
