| 主权项 |
1.一种光电装置,属于具备具有第1之热膨涨系数之 支持基板,和形成于该支持基板上之绝缘体层,和 具有与形成于该绝缘体层上之前述第1之热膨涨系 数不同之第2之热膨涨系数的单结晶半导体层的复 合基板之光电装置中,其特征系 于前述绝缘体层上,形成将前述单结晶半导体层做 为通道范围之薄膜电晶体,于成为前述通道范围之 前述单结晶半导体层内,至少存在一个线缺陷者。 2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述支 持基板为玻璃基板者。3.如申请专利范围第1项之 光电装置,其中,前述支持基板为石英基板者。4.如 申请专利范围第1项至第3项之任一项之光电装置, 其中,前述单结晶半导体层为单结晶矽层。5.如申 请专利范围第1项至第3项之任一项之光电装置,其 中,具有复数之画素所成显示部,和为驱动该显示 部之周边驱动电路,前述薄膜电晶体使用于前述显 示部和前述周边驱动电路部之双方者。6.一种光 电装置,属于具备具有第1之热膨涨系数之支持基 板,和形成于该支持基板上之绝缘体层,和具有与 形成于该绝缘体层上之前述第1之热膨涨系数不同 之第2之热膨涨系数的单结晶半导体层的复合基板 之光电装置中,其特征系 于前述绝缘体层上,形成将前述单结晶半导体层做 为通道范围之薄膜电晶体,于成为前述通道范围之 前述单结晶半导体层内,至少存在一个结晶缺陷者 。7.一种液晶装置,属于将记载于如申请专利范围 第1项至第6项之任一项的光电装置的前述复合基 板做为第1之基板,于该第1之基板和第2之基板间挟 持液晶层的液晶装置中,其特征系前述第1之基板 具备 于配置成为矩阵状之前述液晶层,施加电压的画素 电极, 和具有电气性连接于该画素电极,前述单结晶半导 体层所成通道范围之薄膜电晶体, 和较该薄膜电晶体配置于前述液晶层侧之遮光膜, 和较前述薄膜电晶体向前述液晶层侧配置,与前述 薄膜电晶体电气性连接,具有遮光性,与前述遮光 膜交叉之资料线者。8.如申请专利范围第7项之液 晶装置,其中,前述遮光膜系具有光吸收层和遮光 层,于面向前述薄膜电晶体侧,堆积光吸收层者。9. 如申请专利范围第7项或第8项之液晶装置,其中,面 向于前述遮光膜之前述薄膜电晶体侧中,令前述画 素电极和前述薄膜电晶体电气性连接之中继导电 膜,藉由介电质层加以形成,前述遮光膜及前述中 继导电膜系做为容量电极加以工作,构成保持容量 者。10.一种投射型显示装置,其特征系具备光源, 和调变来自前述光源之光线之记载于如申请专利 范围第7项至第9项之任一项的液晶装置所成光调 变手段,和投射经由前述光调变手段所调变之光线 的投射手段。图式简单说明: 第1图是表示本发明之一实施形态之光电装置的液 晶光阀之概略构成的平面图。 第2图是表示本发明之一实施形态之光电装置的液 晶光阀之剖面构造的图式,为沿着第1图之H-H'的剖 面图。 第3图是表示构成本发明之一实施形态之光电装置 的液晶光阀之形成矩阵状的多数画素之等效电路 图。 第4图是表示本发明之一实施形态之光电装置的多 数画素群之平面图。 第5图是沿着第4图之A-A'线的剖面图。 第6图是表示仅取第5图中之TFT之部分的剖面图。 第7图是表示用以制作本发明之一实施形态之光电 装置的液晶光阀之贴合基板的平面图。 第8(a)~(d)图是表示本发明之一实施形态之光电装 置的液晶光阀所使用的第1构成例之SOQ基板之制作 工程的图式。 第9(e)~(g)图是表示构成本发明之一实施形态之光 电装置的制作程序的图式。 第10(a)~(c)图是表示本发明之一实施形态之光电装 置的液晶光阀所使用之第2构成例之SOQ基板之制作 工程的图式。 第11(d)~(e)图是表示本发明之一实施形态之光电装 置的制作程序的图式。 第12(a)~(c)图是表示本发明之一实施形态之光电装 置的液晶光阀所使用之第3构成例之SOQ基板之制作 工程的图式。 第13(d)~(f)图是表示本发明之一实施形态之光电装 置的制作程序的图式。 第14图是表示本发明之一实施形态之投射型显示 装置的概略构成图。 |
