发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips und elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip |
摘要 |
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Substrats; Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht enthält; und Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht, die GaP umfaßt, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Substrat aus Germanium gebildet ist und daß die transparente Auskoppelschicht bei niedriger Temperatur aufgebracht wird.
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申请公布号 |
DE10239045(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.11 |
申请号 |
DE20021039045 |
申请日期 |
2002.08.26 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
KARNUTSCH, CHRISTIAN;STREUBEL, KLAUS;STAUSS, PETER |
分类号 |
H01L21/205;H01L33/00;H01L33/30;(IPC1-7):H01L31/18;H01L31/021 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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