发明名称 Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Halbleiterchips und elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip
摘要 Bei einem Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Substrats; Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht enthält; und Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht, die GaP umfaßt, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Substrat aus Germanium gebildet ist und daß die transparente Auskoppelschicht bei niedriger Temperatur aufgebracht wird.
申请公布号 DE10239045(A1) 申请公布日期 2004.03.11
申请号 DE20021039045 申请日期 2002.08.26
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 KARNUTSCH, CHRISTIAN;STREUBEL, KLAUS;STAUSS, PETER
分类号 H01L21/205;H01L33/00;H01L33/30;(IPC1-7):H01L31/18;H01L31/021 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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