Halbleiterspeicherbauelement und Zugriffsverfahren hierfür

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterspeicherbauelement und auf ein zugehöriges Zugriffsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet das Halbleiterspeicherbauelement einen Spannungspegeldetektor (210) zur Erzeugung eines Einschaltsignals (PW), eine Bereit/Belegt-Treibersteuerung (240) zur Erzeugung eines Belegtfreigabesignals (BE) in Reaktion auf das Einschaltsignal und einen Bereit/Belegt-Treiber (250), der auf das Belegtfreigabesignal anspricht. Ein Zugriff auf das Halbleiterspeicherbauelement erfolgt erst dann, wenn eine hierzu überwachte interne Spannung einen Betriebsspannungspegel erreicht hat. DOLLAR A Verwendung z. B. für Halbleiterspeicherbauelemente in mobilen Systemen mit niedrigem Stromverbrauch.