| 发明名称 |
GaN-TYPE ENHANCEMENT MOSFET USING HETERO STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003265691(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.11 |
| 申请号 |
AU20030265691 |
申请日期 |
2003.08.26 |
| 申请人 |
UNIVERSITY OF FLORIDA |
发明人 |
FAN REN;CAMMY, RENE ABERNATHY;STEPHEN, J. PEARTON;YOSHIHIRO IROKAWA |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/337;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/51;H01L29/778;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/778 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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