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Die Erfindung betrifft ein nichtflüchtiges Halbleiterspeicherelement sowie ein zugehöriges Herstellungs- und Ansteuerverfahren mit einem Halbleitersubstrat (1), in dem ein Sourcegebiet (S), ein Draingebiet (D) und ein dazwischen liegendes Kanalgebiet ausgebildet sind. Auf einem ersten Teilabschnitt (I) des Kanalgebiets ist eine Steuerschicht (5) ausgebildet und vom Kanalgebiet durch eine erste Isolierschicht (2A) isoliert, während in einem zweiten Teilabschnitt (IIA, IIB) des Kanalgebiets jeweilige Ladungsspeicherschichten (3A und 3B) ausgebildet und vom Kanalgebiet durch eine zweite Isolierschicht (2BA und 2BB) isoliert sind. An der Ladungsspeicherschicht (3A, 3B) ist eine Programmierschicht (6A, 6B) ausgebildet und von dieser durch eine dritte Isolierschicht (4A, 4B) isoliert, wobei sie über eine jeweilige Verbindungsschicht (6AA, 6BB) mit einem jeweiligen Sourcegebiet (S) und Draingebiet (D) elektrisch verbunden ist.
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