Halbleiterspeicher mit vertikalen Speichertransistoren in einer Zellenfeldanordnung mit 1-2F·2·-Zellen

摘要

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen, wobei jede der Speicherzellen vier vertikale Speichertransistoren mit Trapping-Schichten umfaßt. Die höheren Kontaktbereiche sind in sich schräg zu den Zeilen und Spalten des Zellenfeldes erstreckenden höheren Halbleiterbereichen ausgebildet, wobei die Gateelektrode vorzugsweise an den Stufenseitenflächen des höheren Halbleiterbereichs geführt sind. Eine Speicherdichte von 1 - 2 F·2· pro Bit ist so erzielbar.