发明名称 | 半导体发光元件 | ||
摘要 | 本发明提供一种不降低可靠性的高光输出功率的半导体激光器元件。在具有带隙比发光区宽的窗口区的窗口结构的半导体激光器元件中,背面侧窗口区的带隙比前面侧窗口区的带隙窄。 | ||
申请公布号 | CN1481055A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
申请号 | CN03154693.5 | 申请日期 | 2003.08.22 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 田中明 |
分类号 | H01S5/343 | 主分类号 | H01S5/343 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
主权项 | 1.一种半导体激光器,其特征在于,具有:衬底;第1导电型覆盖层,形成在上述衬底上;有源层,形成在上述第1导电型覆盖层上,是交替多次叠层由InGaAlP系半导体构成的势阱层和InGaAlP系半导体构成的势垒层而成的多重量子势阱结构,通过电流注入从发光区向相互相对的第1端面和第2端面放射光;第2导电型覆盖层,形成在上述有源层上;第1窗口区,是形成在上述第1端面附近的区域,该区域的上述势阱层的带隙比上述发光区的上述势阱层的带隙宽;及第2窗口区,是形成在上述第2端面的附近的区域,该区域的上述势阱层的带隙比上述发光区的上述势阱层的带隙宽,比上述第1窗口区的上述势阱层的带隙窄,该上述第2窗口区的上述势阱层的带隙和上述发光区的上述势阱层的带隙之差,以波长变化量表示为不小于10nm、不大于30nm。 | ||
地址 | 日本东京都 |