| 发明名称 | 离子注入之后清除光抗蚀剂的方法 | ||
| 摘要 | 一种用来在暴露于离子注入工艺之后剥离光抗蚀剂层的方法。此方法包括使其上具有离子注入过的光抗蚀剂层的衬底经受紫外线曝光并随后用常规剥离工艺清除离子注入过的光抗蚀剂。 | ||
| 申请公布号 | CN1481519A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN01820981.5 | 申请日期 | 2001.12.18 |
| 申请人 | 艾克塞利斯技术公司 | 发明人 | J·S·哈罗克;A·F·贝克内尔;P·萨克蒂维尔 |
| 分类号 | G03F7/42 | 主分类号 | G03F7/42 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;章社杲 |
| 主权项 | 1.一种用来清除离子注入过的光抗蚀剂(P)的方法，包括将其上具有离子注入过的光抗蚀剂层的衬底(S)暴露于足以使所述光抗蚀剂层可以被清除的紫外线光源，并从衬底剥离光抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||