研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法

摘要

在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO₂绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm³以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

主权项

1.一种研磨剂，其特征在于：含有把氧化铈粒子分散到介质中去的浆液，该氧化铈粒子具有由2个以上的晶粒构成的晶界，其粒子直径的中值为100～1500nm，晶粒直径的中值为5～250nm，对预定的基片进行研磨后的、用离心沉淀法测定的粒径0.5微米以上的氧化铈粒子的含量与研磨前的该含量的比率，是0.8以下。