| 发明名称 | 提高溅镀靶使用率的预溅镀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了提高溅镀靶使用率的预溅镀方法，其步骤包括：首先提供一溅镀靶，再对溅镀靶进行离子轰击，轰击的过程中并以等速方式驱动一长形磁铁于溅镀靶的背面来回扫瞄，直到溅镀靶表面的杂质去除之后，完成溅镀靶的预溅镀。 | ||
| 申请公布号 | CN1480555A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN02132280.5 | 申请日期 | 2002.09.04 |
| 申请人 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 发明人 | 邓敦和 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种提高溅镀靶使用率的预溅镀方法，适用于一反应室，其特征在于包括步骤：提供一溅镀靶；对上述溅镀靶进行离子轰击；以等速方式驱动一长形磁铁于上述溅镀靶的背面来回扫瞄；以及直到上述溅镀靶表面的杂质去除之后，完成该溅镀靶的预溅镀。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||