| 发明名称 | 晶化装置、用于晶化装置的光学部件和晶化方法 | ||
| 摘要 | 一种晶化装置，包括：光照系统(2)，照射相移掩模(1)，并以具有反转峰值型光强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)，该反转峰值型光强度分布在对应于相移掩模(1)的相移部分的点具有最小光强度，以便制备结晶的半导体膜；波前分离元件(3)，设置在光照系统(2)和相移掩模(1)之间的光路上；波前分离元件(3)，将光照系统(2)提供的光束波前分离为多个光束，并且在对应的相移部分或该部分附近会聚这些波前分离的光束。 | ||
| 申请公布号 | CN1480982A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN03148959.1 | 申请日期 | 2003.06.30 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 1.一种晶化装置，包括将光束发射到未晶化半导体膜(4)上的光照系统(2)，并以该光束照射未晶化半导体膜(4)以使该未晶化半导体膜(4)晶化，该装置的特征在于包括：波前分离元件(3，3’)，该波前分离元件将入射光束波前分离成多个光束；和具有相移部分(11e)的相移掩膜(1)，该相移掩模(1)在来自波前分离元件的光束之间提供预定的相位差，并且将这些光束转化为具有反转峰值型光强度分布的光束，相移部分(11e)确定反转峰值型光强度分布中光强度最小的位置，波前分离元件(3，3’)位于光照系统(2)和未晶化半导体膜(4)之间的光路上，相移掩膜(1)位于波前分离元件(3，3’)和未晶化半导体膜(4)之间的光路上，定位波前分离元件(3，3’)和相移掩膜(1)，以便以波前分离的光束照射相移部分(11e)周围的预定区域(62，63)。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||