处理方法和处理装置

摘要

在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。

主权项

1、一种处理方法，包括以下步骤：将第一基片移入一处理腔中并将该第一基片布置在处理腔内的一个基座上；通过一个夹具将布置在基座上的第一基片固定；对被夹具固定的第一基片进行处理；将夹具与已被处理的第一基片分开；将该第一基片从处理腔移出；在将被处理过的第一基片移出处理腔并将未被处理的第二基片移入处理腔的同时，加热夹具；将第二基片移入处理腔并将第二基片布置处理腔内的基座上；通过夹具将布置在基座上的第二基片固定；对这个被夹具固定的第二基片进行处理。