| 发明名称 | 芯片上电感组件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种于半导体基板进行芯片电感组件的制造方法，首先，将半导体基板确定成一沟槽后，形成一绝缘层填充于沟槽内，此绝缘层具有较氧化硅物低的介电常数、或具有较氧化硅物高的导磁率。然后，再将一回旋状导电线圈形成于绝缘层上方。根据本发明，是将电感组件制于低介电常数或高导磁率的绝缘材质上方，故可降低导电线圈与基板间的寄生电容效应和互感效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1141738C | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN01110470.8 | 申请日期 | 2001.04.11 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈伟梵 |
| 分类号 | H01L21/822;H01F41/00 | 主分类号 | H01L21/822 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种芯片上电感组件的制造方法，包括：确定一半导体基板成一沟槽；形成一绝缘层于该沟槽内，该绝缘层具有较氧化硅物低的介电常数；以及形成一回旋状导电线圈于该绝缘层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||