半导体器件用多层电路基板的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件用多层电路基板(50)的制造方法，包括：使用已使2块金属板一体化了的复合金属板(14)，在该复合金属板的两面上，形成实质上不会被用来刻蚀金属板的刻蚀液刻蚀的金属材料制的半导体元件连接用焊盘，和具有使该焊盘露出来的开口部分的绝缘层，在该绝缘层上形成具有用来连接到上述焊盘上而且连接到后边形成的别的布线层上的焊盘的布线层(26)，然后交互地形成必要的层数的绝缘层和布线层，制作多层电路基板主体(20)，在多层电路基板主体的最外层的绝缘层上，形成具备使位于其上的外部连接端子用焊盘露出来的贯通孔的绝缘层，接着，使复合金属板分离，得到在金属板的单面上具备多层电路基板主体的中间体，然后，在为了装载半导体元件的区域上，对上述金属板进行刻蚀以除去该区域的金属板材料，形成把半导体元件的装载区域围起来的框体(10)。

主权项

1.一种半导体器件用多层电路基板的制造方法，是由多组的导体层和绝缘层形成的多层电路基板主体的、并具备具有用来装载半导体元件的面和外部连接端子用的另一方的面，在用来装载半导体元件的面上设有多层电路基板通过其连接到要装载的半导体元件上的焊盘，在外部连接端子用的面上，则设有多层电路基板通过其连接到外部的电路上的焊盘的多层电路基板主体的，在多层电路基板主体的半导体元件装载面上具备把该装载区域围起来的框体的半导体器件用多层电路基板的制造方法，包括：使2块金属板相对地一体化地制作复合金属板，在该复合金属板的两面上，形成实质上不会被用来刻蚀金属板的刻蚀液刻蚀的金属材料制的半导体元件连接用焊盘，和具有使该焊盘露出来的开口部分的绝缘层，在上述绝缘层上形成是通过上述开口部分连接到上述焊盘上的布线层的，具有连接之后形成的别的布线层用的布线层，实施需要次数的形成具有使用来连接到上述别的布线层上的焊盘露出来的开口部分的绝缘层，和是要通过该开口部分连接到位于该绝缘层的下边的上述别的布线层的焊盘上的布线层的、并具备连接到之后形成的再一个别的布线层上的焊盘或外部连接端子用的焊盘的布线层的工序，制作具有规定数的布线层和绝缘层的多层电路基板主体，在多层电路基板主体的最外层的绝缘层上，形成具备使位于其上的外部连接端子用焊盘露出来的贯通孔的绝缘层，使上述复合金属板分离，得到在上述金属板的单面上具备上述多层电路基板主体的中间体，然后，在为了装载半导体元件而配置的区域上，通过对上述金属板进行刻蚀以除去该区域的金属板材料，形成把半导体元件的装载区域围起来的框体。