| 发明名称 | 一种DH－Ga<SUB>1</SUB>－<SUB>x</SUB>Al<SUB>x</SUB>AsLED液相外延材料的结构 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子材料制备领域，涉及一种对DH-Ga<SUB>1-X</SUB>Al<SUB>X</SUB>AsLED液相外延材料结构的改进。它包括衬底(4)、限定层(3)、发光层(2)、窗口层(1)，统一考虑发光效率和制管工艺成品率，发光效率高、液相外延工艺又能实现、还为后道制管工艺创造有利条件、保证了成品率。本发明生产的外延片结构表面光亮，凸状畸变明显变小，经超声打孔技术测量，其发光强度一般为10-12mcd/20mA，制管成品率达70％。 | ||
| 申请公布号 | CN1141741C | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN00103908.3 | 申请日期 | 2000.02.29 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 元金山;张富文;李向文 |
| 分类号 | H01L33/00;H05B33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 梁爱荣 |
| 主权项 | 1、一种DH-Ga1-XAlXAsLED液相外延材料的结构，它包括衬底(4)，其特征在于：在衬底(4)上首先液相外延限定层(3)，其次外延发光层(2)，最后外延窗口层(1)，衬底(4)的厚度为：300-400μm、铝Al组份为：0、载流子浓度为：1×1019cm-3；限定层(3)的生长厚度为：10-15μm、铝Al组份为：0.70-0.77、载流子浓度为(1-2)×1018cm-3；发光层(2)的生长厚度为：1.0-2.0μm、铝Al组份为：0.40-0.44、载流子浓度为：(3-7)×1017cm-3；窗口层(1)生长厚度为：15-25μm、铝Al组份为：0.70-0.75、载流子浓度为：(0.7-1)×1018cm-3。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街140号 | ||