| 发明名称 |
DRAM CELL ARRANGEMENT WITH VERTICAL MOS TRANSISTORS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1396026(A2) |
申请公布日期 |
2004.03.10 |
| 申请号 |
EP20020740639 |
申请日期 |
2002.05.23 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LEE, BRIAN;SCHLOESSER, TILL |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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