| 摘要 |
<P>L'invention concerne un point mémoire non volatile (M2, M21, M23) intégré sur substrat de silicium (1), comprenant un premier transistor à grille flottante (FGT3) pour la programmation et l'effacement du point mémoire, et un second transistor à grille flottante (FGT4) pour la lecture du point mémoire, les transistors à grille flottante ayant des grilles flottantes (5-1, 5-2) interconnectées et des grilles de contrôle (6-1, 6-2) interconnectées. Selon l'invention, le premier transistor à grille flottante (FGT3) comprend une fenêtre tunnel (TW) entre sa grille flottante et le substrat de silicium, tandis que le second transistor à grille flottante (FGT4) ne comprend pas de fenêtre tunnel entre sa grille flottante et le substrat de silicium. Avantages : insensibilité du point mémoire au stress de drain lors de la lecture du point mémoire, lecture du point mémoire sans transistor cascode, augmentation de la vitesse de lecture et diminution de la consommation électrique en lecture.</P>
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