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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Grabenisolierung sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei eine Grabenisolierung (STI, TTI) einen tiefen Isolationsgraben mit einer Abdeckisolationsschicht (10, 11), einer Seitenwand-Isolationsschicht (6) und einer elektrisch leitenden Füllschicht (7) aufweist, die in einem Bodenbereich des Grabens mit einem vorbestimmten Dotiergebiet (1) des Halbleitersubstrats elektrisch in Verbindung steht. Durch die Verwendung eines Grabenkontakts (DTC), der einen tiefen Kontaktgraben mit einer Seitenwand-Isolationsschicht (6) und einer elektrisch leitenden Füllschicht (7) aufweist, die ebenfalls in einem Bodenbereich des Kontaktgrabens mit dem vorbestimmten Dotiergebiet (1) des Halbleitersubstrats elektrisch in Verbindung steht, können die elektrischen Abschirmeigenschaften bei verringertem Flächenbedarf verbessert werden.
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