发明名称 Verfahren zum Bilden eines feinen Musters
摘要
申请公布号 DE19512776(B4) 申请公布日期 2004.03.04
申请号 DE1995112776 申请日期 1995.04.05
申请人 RYODEN SEMICONDUCTOR SYSTEM ENGINEERING CORP., ITAMI;MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 OKAMOTO, CHIKAYUKI;NISHIOKA, TADASHI;KAWAZU, SATORU
分类号 H01L21/302;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/3065;(IPC1-7):G03F7/00;H01L21/310;H01L21/308;H01L21/321 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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