Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske

摘要

Eine erste (20) und eine zweiten phasenschiebende, semitransparente Schicht (30) werden auf einem Substrat (10) gebildet. Mittels lithographischer Strukturierung werden hieraus erste erhabene Strukturelemente (80) auf dem Substrat (10) mit einem ersten Transmissionsgrad und zweite Strukturelemente (90) mit einem von dem ersten Transmissionsgrad unterschiedlichen zweiten Transmissionsgrad gebildet. Speicherprodukte können mit hoher Auflösung und großer Maßhaltigkeit bei der Übertragung der Strukturelemente (80, 90) auf ein Halbleitersubstrat hergestellt werden, indem dichte Strukturanordnungen durch die Strukturelemente (90) mit einem hohen Transmissionsgrad von über 30 Prozent und auf der gleichen Maske isolierte Strukturanordnungen niedriger Dichte durch die Strukturelemente (80) mit einem niedrigeren Transmissionsgrad repräsentiert werden.