形成不同厚度的双栅极绝缘层的方法

摘要

本发明是提供一种形成不同厚度的双栅极绝缘层的方法，其是在一半导体基底表面先形成两不同厚度的垫氧化层，再于氮气体环境下进行回火制程，以形成两不同厚度的氮离子掺杂区域，接着移除该垫氧化层，再利用热氧化制程于氮离子掺杂区域上形成两不同浓度的栅极绝缘层。本发明可有效简化于双栅极半导体组件中制造双栅极绝缘层的步骤，借此提升金属氧化半导体组件的特性及产品合格率。

主权项

1.一种形成不同厚度的双栅极绝缘层的方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底；在该半导体基底表面形成一垫氧化层；形成一图案化光阻层在该垫氧化层上；以该图案化光阻层为屏蔽，蚀刻该露出的垫氧化层，以形成两不同厚度的垫氧化层区域；去除该图案化光阻层；在氮气中进行热回火制程，以便在该垫氧化层下方的该基底内，形成不同深度的离子掺杂区域；去除该垫氧化层；及根据该二不同浓度的离子掺杂区域，在该基底上形成不同厚度的双栅极绝缘层。