| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包括形成在半导体衬底上方的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上、并具有将除接触区外的区域分为两侧的缝隙的单元板线路，形成在位于缝隙两侧的单元板线路上、并具有在缝隙上方的空隙的电容器介电层，以及形成在缝隙两侧电容器介电层上在一列中的多个电容器上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1479379A | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
| 申请号 | CN03123704.5 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小室玄一 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/04;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一绝缘层，其形成在半导体衬底上方；单元板线路，其形成在第一绝缘层上方，并具有将除接触区外的区域分为两侧的缝隙；电容器介电层，其在单元板线路上形成在缝隙两侧，并具有在缝隙上方的空隙；和电容器上部电极，其在电容器介电层上在缝隙两侧形成于一列中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||