在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法

摘要

一种在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法，其将金氧半晶体管的工艺加以修改，以同步制作双载子晶体管与互补式金氧半晶体管，如此将可大幅减少工艺步骤，并降低工艺成本。再者，由于本发明在硅绝缘体基底上形成双载子互补式金氧半导体元件，故可降低元件的寄生电容，避免元件发生闭锁现象，并可增进元件的集成度与操作速度。

主权项

1.一种在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：a.提供一硅绝缘体基底，该硅绝缘体基底具有一第一导电型态的硅层与该硅层下方的一绝缘层；b.在该硅层中形成一电性隔离结构，以定义出一金氧半导体的主动区与一双载子连接晶体管的主动区；c.在该些主动区的表面上分别形成一薄氧化层，其中该金氧半导体主动区中的该薄氧化层为一栅氧化层；d.在该双载子连接晶体管主动区表面的薄氧化层中形成一开口，以暴露出该薄氧化层下方部分的硅层；e.沉积一多晶硅层于该基底上，并填入该开口中；f.定义该多晶硅层，以同时在该金氧半导体的主动区上形成一栅极，并在该双载子晶体管主动区上形成一多晶硅电极覆盖住该开口；g.在该栅极与该多晶硅电极的侧壁分别形成一绝缘间隙壁；以及h.以该栅极、该多晶硅电极及该绝缘间隙壁为罩幕进行一第二导电型态离子植入，以在该金氧半导体的主动区中形成一第二导电型态源极/漏极区，同时在该双载子连接晶体管主动区中形成一第二导电型态掺杂区的发射极，且同时对该多晶硅电极掺杂而使其形成一第二导电型态的集电极，而位于该集电极下方的该第一导电型态硅层成为一基极。