Method of making a vertical metal oxide semiconductor field-effect diode,申请号EP20020734352-传众专利搜索

发明名称	Method of making a vertical metal oxide semiconductor field-effect diode
摘要
申请公布号	EP1393382(A2)	申请公布日期	2004.03.03
申请号	EP20020734352	申请日期	2002.05.08
申请人	VRAM TECHNOLOGIES, LLC	发明人	METZLER, RICHARD, A.
分类号	H01L21/334;H01L29/866;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/768;H01L27/08;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861	主分类号	H01L21/334
代理机构		代理人
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