Processes for forming a CIP tri-layer (CIP3L) structure, with a permanent magnet layer positioned behind the SH,申请号GB20040002232-传众专利搜索

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发明名称	Processes for forming a CIP tri-layer (CIP3L) structure, with a permanent magnet layer positioned behind the SH
摘要
申请公布号	GB0402232(D0)	申请公布日期	2004.03.03
申请号	GB20040002232	申请日期	2004.02.02
申请人	SEAGATE TECHNOLOGY LLC	发明人
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
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