| 发明名称 | AI<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器的制法 | ||
| 摘要 | 基于Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa<SUB>1-x</SUB>N上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。 | ||
| 申请公布号 | CN1140930C | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
| 申请号 | CN02113005.1 | 申请日期 | 2002.05.15 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 沈波;郑有炓;李卫平;周玉刚;毕朝霞;张荣;刘治国;江若琏;施毅;顾书林;胡立群;朱顺明;韩平 |
| 分类号 | H01L27/12;G11C11/22 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1.AlxGa1-xN/GaN异质结的金属/铁电体/半导体(MFS)存贮器结构的制法，其特征是以(0001)面的蓝宝石为衬底，经常规清洗后，采用MOCVD生长技术，经预处理、GaN缓冲层生长和退火、非掺杂GaN外延层生长、非掺杂AlxGa1-xN外延层生长和Si掺杂n型AlxGa1-xN外延层生长几个阶段完成AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的制备，生长源分别为三甲基镓(TMG)，三甲基铝(TMA)和高纯氨气(NH3)，载气和稀释气体为氢气(H2)；再在AlxGa1-xN层上生长PZT铁电薄膜，PZT铁电薄膜采用脉冲激光淀积(PLD)技术制备；采用电子束蒸发分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极作为底电极，在PZT层上淀积Al电极作为顶电极。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||