| 发明名称 | 制作包含与硅的金属氧化物界面的半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 用于制作半导体结构的方法包括提供具有上表面(12)的硅衬底(10)的步骤；在硅衬底(10)的上表面上形成无定形二氧化硅(14)的步骤；在无定形二氧化硅(14)上形成金属氧化物(18)的步骤；对半导体结构加热而形成特点在于邻接硅衬底(10)的上表面(12)的籽晶层(20)界面的步骤；和在籽晶层(20)上形成一层或多层高介电常数氧化物层(22)的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1140917C | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
| 申请号 | CN00120254.5 | 申请日期 | 2000.07.14 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 贾马·兰达尼;拉万德兰那斯·德鲁帕德;于致忆 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/00;C30B25/00 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.制作半导体结构的方法，特征在于包括下列步骤：提供具有上表面(12)的硅衬底(10)；在硅衬底的所述上表面上形成一种包括硅酸盐晶体材料的籽晶层(20)；和在籽晶层上形成一层或多层高介电常数氧化物层(22)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||