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发明名称 氧化羰基铁光刻掩膜版
摘要 本发明公开了一种氧化羰基掩膜版产品的制作，其主要特点是采用化学汽相淀积法(CVD法)，使氮气携带五羰基铁蒸汽。在一定温度条件下，与制板玻璃表面发生反应，反应后在玻璃基板表面生成一层氧化羰基铁膜，主要方程式：4Fe(CO)<SUB>5</SUB>+3O<SUB>2</SUB>＝2Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>↓+20CO↑本发明生产成本低，工艺简便，广泛应用于各种半导体和集成电路版的光刻制作。
申请公布号 CN1479171A 申请公布日期 2004.03.03
申请号 CN02139397.4 申请日期 2002.08.30
申请人 付增荣 发明人 付增荣
分类号 G03F1/16 主分类号 G03F1/16
代理机构 代理人
主权项 1、一种氧化羰基铁掩膜版。本发明的特征是：使用化学汽相淀积法CVD法使氮气携带Fe(CO)5蒸汽，在120℃±2℃与玻璃板表面发生反应，使玻璃基板表面生成一层氧化羰基铁薄膜，反应方程式为：
地址 713100陕西省兴平市兴化集团
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