| 发明名称 |
ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HIGH K METAL OXIDES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003263872(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.03 |
| 申请号 |
AU20030263872 |
申请日期 |
2003.08.18 |
| 申请人 |
ASML US, INC. |
发明人 |
YOSHIHIDE SENZAKI;SANG-KYOO LEE;SANG-IN LEE |
| 分类号 |
H01L27/04;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;H01L;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/822;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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