动态随机存取存储器单元电容器的制造方法

摘要

公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法，能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括：腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层，形成存储接触孔，用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞，在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区，使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层，形成到存储接触栓塞上表面的开口，以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。

主权项

1.一种DRAM单元电容器的制造方法，包括以下步骤：腐蚀半导体衬底上的下绝缘层，形成存储接触孔；用第一导电材料填充所述存储接触孔以形成存储接触栓塞；在包括所述存储接触栓塞的所述下绝缘层上形成上绝缘层；在所述上绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区；使用所述掩模并腐蚀所述上和下绝缘层，形成到所述存储接触栓塞上表面的开口；以及用第二导电材料填充所述开口以形成存储节点。