发明名称 硅光电探测器
摘要 本实用新型公开了一种硅光电探测器,旨在提供一种既保证器件的光灵敏度,又保护硅光电探测器P-N结表面结的硅光电探测器。其技术方案的要点是,N型内设置有P型,P-N结表面设置有二氧化硅膜,其特征是,所述P-N结的表面结设置有环形钝化膜。所述的钝化膜宽度为20~200μm。所述的钝化膜为PI胶。本实用新型不仅具有较高的光灵敏度,而且具有较好的稳定性和可靠性。
申请公布号 CN2605666Y 申请公布日期 2004.03.03
申请号 CN03240699.1 申请日期 2003.03.21
申请人 天津大学 发明人 张生才;李树荣;张世林;姚素英;郑云光;赵毅强
分类号 H01L31/0236;H01L31/0216;G01J1/02 主分类号 H01L31/0236
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人 李素兰
主权项 1.一种硅光电探测器,N型内设置有P型,P-N结表面设置有二氧化硅膜,其特征是,所述P-N结的表面结设置有环形钝化膜。
地址 300072天津市南开区卫津路92号