发明名称 | 硅光电探测器 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种硅光电探测器,旨在提供一种既保证器件的光灵敏度,又保护硅光电探测器P-N结表面结的硅光电探测器。其技术方案的要点是,N型内设置有P型,P-N结表面设置有二氧化硅膜,其特征是,所述P-N结的表面结设置有环形钝化膜。所述的钝化膜宽度为20~200μm。所述的钝化膜为PI胶。本实用新型不仅具有较高的光灵敏度,而且具有较好的稳定性和可靠性。 | ||
申请公布号 | CN2605666Y | 申请公布日期 | 2004.03.03 |
申请号 | CN03240699.1 | 申请日期 | 2003.03.21 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 张生才;李树荣;张世林;姚素英;郑云光;赵毅强 |
分类号 | H01L31/0236;H01L31/0216;G01J1/02 | 主分类号 | H01L31/0236 |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 李素兰 |
主权项 | 1.一种硅光电探测器,N型内设置有P型,P-N结表面设置有二氧化硅膜,其特征是,所述P-N结的表面结设置有环形钝化膜。 | ||
地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 |