制备Ⅲ - V族化合物半导体的方法

摘要

形成III-V族氮化物化合物半导体的晶体层时，氮化物化合物半导体层先覆于基材上形成底层，藉混合蒸汽相取向附生，于淀积压力不低于800托耳的条件下，通式InxGayAlzN(其中，0≦X≦1，0≦y≦1，0≦z≦1，x+y+z=1)表示的III-V族氮化物化合物半导体取向附生生长于底层上。藉由使得淀积压力不低于800托耳，III-V族氮化物化合物半导体的结晶性获显着改善且其缺陷密度降低。