鳍记忆胞及其制造方法

摘要

本发明揭示一种记忆胞及其制造方法，该方法可改善胞密度而又不会过度增加制造成本及复杂程度。本发明之较佳具体实施例提供一种鳍设计以形成该记忆胞。具体而言，形成一鳍式场效电晶体(FieldEffectTransistor；FET)以提供存取电晶体，并形成一鳍式电容器以提供储存电容器。藉由一鳍式FET及鳍式电容器形成该记忆胞，该记忆胞密度可在传统平板式电容器设计基础上大幅提高。此外，该记忆胞制造成本及复杂程度大大低于传统深沟渠电容器设计。