| 摘要 |
一种半导体发光元件，包含有：蓝宝石基板(11)、形成于该基板(11)上且在上面具有多数隔着预定间隔形成为带状之凹部(121)之u－GaN层(12)、形成于该u－GaN层(12)上之再成长u－GaN层(13)、形成于u－GaN层(13)上且具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)之积层体、形成于除去积层体之一部份而露出之n－GaN层(15)上之n型电极(24)及形成于p－GaN层(19)上且具透光性之p型电极(20)，又，该p型电极(20)系构成发光观测面，另，于u－GaN层(13)下面与凹部(121)之间形成有空气层(S)。 |
