发明名称 供大或小的区域半导体发光覆晶装置之接触设计
摘要 本发明揭示一种发光装置,其包含一基板、一第一导电率类型层位于该基板上、一发光层位于该第一导电率类型层上,以及一第二导电率类型层位于该发光层上。在该第二导电率类型层中形成复数个导通孔,直达第一导电率类型层。该导通孔的形成可藉由(例如)蚀刻、离子植入或者该第二导电率类型层的选择性成长。一组第一接点穿过该等导通孔与该第一导电率类型层电接触。第二接点与该第二导电率类型层电接触。在一些具体实施例中,第二接点的面积系该装置面积的至少75%。在一些具体实施例中,导过孔的宽度介于2至100微米,间隔为5至1000微米。
申请公布号 TW200403869 申请公布日期 2004.03.01
申请号 TW092115687 申请日期 2003.06.10
申请人 露明光学公司 发明人 丹尼尔A 史戴格华德;杰若米 全德拉 巴哈特;麦可 约瑟夫 路德伟兹
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国