摘要 |
本发明揭示一种发光装置,其包含一基板、一第一导电率类型层位于该基板上、一发光层位于该第一导电率类型层上,以及一第二导电率类型层位于该发光层上。在该第二导电率类型层中形成复数个导通孔,直达第一导电率类型层。该导通孔的形成可藉由(例如)蚀刻、离子植入或者该第二导电率类型层的选择性成长。一组第一接点穿过该等导通孔与该第一导电率类型层电接触。第二接点与该第二导电率类型层电接触。在一些具体实施例中,第二接点的面积系该装置面积的至少75%。在一些具体实施例中,导过孔的宽度介于2至100微米,间隔为5至1000微米。 |